여기에서는 이미 널리 사용되고 있는 하드 디스크 드라이브와 광디스크 드라이브뿐 아니라, 차세대 메모리 중 이미 실용화가 진행되고 있거나 머지않은 장래에 실용화될 가능성이 매우 높은 MRAM, PRAM, ReRAM 등 세가지 메모리에 대하여 작동원리, 전망 등을 소개하고, 새로운 개념의 나노소자 제작기술로서 각광을 받고있는 'bottom up' 혹은 '상향식' 기술에 대한 개발현황과 향후전망에 대하여 논의하고자 한다. 

(내용)

1. 개요 
1.1 정보저장용 메모리의 필요성 
1.2 집적 전자소자 기술-현재 
1.3 집적 전자소자 기술-가까운 미래 
1.4 메모리 소자 
1.5 전망 
  
2. 스핀트로닉스를 이용한 정보저장 
2.1 개요 
2.2 스핀트로닉스의 기본적 이해 
2.3 거대자기저항(GMR)과 스핀밸브헤드 
2.4 자기터널접합(MTJ) 
2.5 자기 메모리(MRAM) 
2.6 나노자기학(Nanomagnetism) 
2.7 자기적으로 기록할 때의 문제점 
2.8 혁명적인 해결책 스핀전달 
2.9 자기 메모리의 전망 
  
3. Nanoionics 기반 저항변화 메모리(ReRAM) 
3.1 개요 
3.2 저항변화 메모리의 스위칭 동작방식 
3.3 폴리머 활용 저항변화 스위칭 소자 
3.4 저항변화 메모리의 전망 
  
4. Bottom Up형 나노전자소자 
4.1 개요 
4.2 복합형(Hybrid)에서 나노기술로 
4.3 Bottom Up 기술의 전망 
5. 정리 및 분석자 결론 
  비 휘발성 메모리의 고밀도화, 고용량화, 고성능화가 새로운 기능을 가지는 휴대형 이동기기의 발명을 가능하게 할 수도 있고, 반대로 새로운 휴대형 기기에 대한 수요가 비휘발성 메모리에 대한 신기술을 개발하게 하는 구동력 역할을 하기도 한다. 가까운 시일내에 본격적인 '인터랙티브' 시대를 맞이하고 궁극적으로는 '프로액티브(proactive)' 시대를 맞이하여, 저장용 메모리의 임의접근성이 작업용 메모리의 수준이 될 것으로 예상되고 있다. 이 경우 저장용 메모리와 작업용 메모리의 기능을 동시에 구현하는 유니버설 메모리가 표준메모리로 자리매김할 것으로 예상되고 있으며, 고도화된 메모리 덕분에 상상 속에서만 꿈꾸어 왔던 다양한 디지털 복합기기를 현실 속에서 만나게 될 날이 머지않을 것으로 기대된다.  
  
* 출원: 테크월드/베디드 월드